基本信息

  • 生产厂商 蔡司
  • 资产编号 20036703
  • 资产负责人 胡欢
  • 购置日期2020-11-20
  • 仪器价格297.60 万元
  • 仪器产地德国
  • 仪器供应商赛尔网络有限公司
  • 购买经办人
  • 主要配件
  • 主要参数1、电子光学系统: 1.1、二次电子分辨率：≤0.7nm@15kV，≤1.2nm@1kV（非样品台减速模式下）； 1.2、 放大倍率不小于：20-2,000,000倍（底片放大倍率）； 1.3、加速电压（非着陆电压或着陆能量）不小于：0.03kV～30kV，步进10 V，连续可调； 1.4、电子枪：肖特基场发射电子枪； 1.5、电子束流：最大束流不小于20nA； 1.6、束流稳定性：优于0.2%/h，抗噪声性能优于1%/h； 1.7、镜筒内具有静电透镜设计，能够保证样品室内无漏磁，可对铁磁性和易磁性材料进行2mm内短距离高分辨成像； 1.8、35o最佳出射角时，能谱仪分析工作距离可近到9mm以下。 2、样品室及样品台： 2.1、样品室：抽屉式拉门，样品室内部直径不小于320mm；可容纳最大样品尺寸不小于200mm； 2.2、五轴优中心马达驱动样品台，移动最大范围指标：X 130mm，Y 130mm，Z 50mm，双向倾斜，-4°-70°（倾斜），360°（旋转）； 2.3、配置多功能旋钮操作控制面板； 2.4、预留能谱仪等常用附件接口和软件通讯接口； 2.5、最大可载样品重量500g； 2.6、含样品触碰极靴告警； 3、探测器： 3.1、样品室二次电子探测器； 3.2、安装在物镜上方正光轴上的镜筒内二次电子探测器； 3.3、样品室内独立环形背散射电子探测器； 4、真空系统 4.1、样品室真空度：高真空模式优于2×10-4 Pa； 5、数字图像记录系统： 5.1、最大图像存储分辨率不小于：24k×16k像素； 5.2、图像显示：1240×768像素，24” LCD显示器； 5.3、图像记录：TIFF, BMP或JPEG； 6、控制和数据处理系统： 6.1、计算机系统Intel Xeon, Quad core processor以上CPU；DDRII 8G内存；SATA-II 250以上硬盘；独立显卡；DVD刻录机；24” LCD显示器； 6.2、Windows 操作系统； 7、能谱仪： 7.1、探测器：分析型硅漂移（SDD）电制冷探测器； 7.2、晶体活区面积： 60mm2； 7.3、能量分辨率：129 eV（MnKa）； 7.4、分析元素范围不小于：Be4-Cf98；

仪器介绍

Basic Unit CrossBeam 340.

Carl Zeiss CossBeam340 基本配置：

• FE-SEM with patented GEMINI electron optics for a wide range of analytic applications and in-situ experiments. 扫描电子镜筒部分采用采用最新的 Zeiss 专利的 GEMINI 镜筒，能够满足各 种观察及分析应用需求及原位实验的要求。

• The system can be operated in High vacuum or variable pressure mode. 系统配有高真空和低真空模式

• The FE-SEM is optimized for use with a Ga-focused Ion beam (Ga- FIB). GEMINI 镜筒能够与 FIB 镜筒可实现完美兼容

• Large chamber with 18 accesory ports, 预留 18 个接口，具有极强的兼容性和扩展性

• auto pendulum damping system, 自动水平摆震系统 • 6-axes mot. super eucentric stage, 六轴优中心马达样品台

• carousel 9x sample holder. 九孔样品座

• two 24" flat panel TFT colour display monitors. 2 台 24 寸液晶显示器

• Windows operating system. Zeiss SmartSEM GU 操作界面


Ion-sculptor FIB column 主要配置：

- Fully integrated incl. electronic and Software. Ga-Liquid metal ion source (Ga-LMIS) with long source life time of 3000 µAh and high currentstability.

- Zeiss 专利的 Capella FIB 镜筒，离子源寿命可达 3000 µAh

- Resolution at 30 kV: 3nm. 分辨率为3nm

- Voltage Range: 500V - 30 kV. 具有很好的低电压加工功能，最低电压可至 500V

- Probe current range: 1 pA - 100 nA. 最大束流可至 100nA - Motorized high precision aperture changer, 全自动高精度光阑 - electrostatic beamblanker. 高精度束闸

- Time interval between conditioning cycles of Ga Source: 72 hours. 离子源可持续工作至少 72 小时才需 Heating