基本信息

  • 生产厂商 中国科学院微电子研究所
  • 资产编号 16012744
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  • 购置日期2016-10-25
  • 仪器价格63.00 万元
  • 仪器产地中国
  • 仪器供应商
  • 购买经办人
  • 主要配件
  • 主要参数反应室真空5×10－4Pa。极限真空：5E-6Torr。载片台可加温100～450度。沉积材料：SiO2、Si3N4、GeO2可进行氘离子掺杂。工艺温度：最高400℃。样品尺寸：4英寸向下兼容。淀积不均匀性：≤±5％。

仪器介绍

等离子增强化学气相淀积设备是一种用于在基片上生成高质量SiNx和SiO2薄膜的专用设备。